| 种类：元素半导体 | 加工定制：是 | 特性：2英寸，4英寸 |
| 用途：衬底 |
主要性能参数 | |||
晶体结构 | 面心立方 | ||
熔点（℃） | 1420 | ||
密度 | 2.4（g/cm3） | ||
掺杂物质 | 不参杂 | 掺B | 掺P |
类 型 | N或P | P | N |
电 阻 率 | >1000Ωcm | 10-3~40Ωcm | 102~104Ωcm |
E P D | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 | ≤100∕cm2 |
氧含量（∕cm3） | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 | ≤1~1.8×1018 |
碳含量（∕cm3） | ≤5×1016 | ≤5×1016 | ≤5×1016 |
尺寸 | 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm 可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片 | ||
厚度 | 0.3-0.5mm、1.0mm | ||
尺寸公差 | <<>±0.1mm | ||
厚度公差 | <<>±0.015mm特殊要求可达到<<>±0.005mm） | ||
抛光 | 单面或双面 | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | 2°（特殊要求可达到1°以内） | ||
取向 | <100>、<110>、<111>等 | ||
包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 | ||
